Feldeffekttransistor (FET)

Ausführungsformen - Typen
(c) Friedrich Sick
fet-2
Klicken für eine Seite zurück Zur nächsten Seite
  • Unterscheidung nach Kanal-Typ
    Die Richtung des Drainstroms ID und damit die Polarität der Drain-Source-Spannung UDS sowie der Steuerspannung UGS ist abhängig vom Kanaltyp (N oder P) des FET.
  • J-FET
    Sperrschicht-FET´s sind selbstleitend. D.h. ohne Steuerspannung UGS sind sie leitfähig und werden mit zunehmender Steuerspannung hochohmiger, bis bei der Abschnürspannung UGSP kein Drainstrom ID mehr fließt.
  • IG-FET Verarmungstyp
    Bei Steuerspannung UGS = 0V ist der Kanal leitfähig. Der Verarmungstyp ist also selbstleitend. Durch entsprechende Polarität und Höhe der Steuerspannung werden die Ladungsträger im Kanal verarmt und er wird hochohmiger. Der Kanal kann aber auch leitfähiger gesteuert werden. (Siehe Kennlinien in nebenstehender Tabelle!)
  • IG-FET Anreicherungstyp
    Der Anreicherungstyp ist selbstsperrend. Das Schaltsymbol drückt das aus.
  • Bulk-Anschluss
    Der Körper des IG-FET bildet mit dem Kanal immer einen PN-Übergang. Ein N-Kanal IG-FET hat also ein P-dotiertes Substrat. Der Pfeil im Schaltsymbol zeigt also die Richtung des PN-Übergangs an! Bei vielen Hersteller-Typen ist der B- und S-Anschluss intern verbunden, weil der Transistor in den häufigsten Anwendungen so beschaltet wird. Herausgeführt kann er als zweite Steuerelektrode benutzt werden. Dann muss er aber gegen die Durchlassrichtung beschaltet werden!
Schaltzeichen mit Beschaltungspolarität, sowie Eingangs- und Ausgangskennlinien der Ausführungsformen von FET´s
..