Feldeffekttransistoren (FET)
unipolare Transistoren
- Unipolare Transistoren
Im Gegensatz zu bipolaren (zwei-polaren) Transistoren fließt bei unipolaren (ein-polaren) Transistoren der Strom nur durch einen Kanal aus einem Halbleitermaterial (p- oder n-dotiert). - Feldeffekt
Der Widerstand des Transistors - und damit der Strom - wird durch ein elektrisches Feld gesteuert, das den leitfähigen Querschnitt des Kanals verändert.
Das elektrische Feld wird durch eine an die Steuerelektrode ( Gate ) angelegte Spannung erzeugt. - Isolierte Steuerelektrode ( Gate )
Vom Kanal isoliert ist das Gate durch ...- einen gesperrten PN-Übergang (PN-FET oder J-FET)
(siehe Prinzipskizze eines N-Kanal-Sperrschicht-FET rechts) - eine Isolierschicht (IG-FET - MOS-FET, MNS-FET)
- einen gesperrten PN-Übergang (PN-FET oder J-FET)
- Leistungslose Steuerung
Da weder beim Sperrschicht-FET noch beim Isolierschicht-FET ein Steuerstrom fließt, erfolgt die Ansteuerung technisch leistungslos.
Der Eingangswiderstand beträg beim J-FET ~109 Ohm und bei IG-FET´s 1012 - 1015 Ohm. - Anschlussbezeichnungen
Die Anschlüsse am Kanal werden mit Drain und Source bezeichnet. Der Steueranschluss mit Gate.(siehe Prinzipskizze rechts)
Der Anschluss für das Substrat in das der Kanal eingebettet, ist wird mit Bulk bezeichnet und ist häufig vom Hersteller schon intern mit Source verbunden.
- Ansteuerung
Die Ansteuerung des FET erfolgt grundsätzlich zwischen Gate und Source
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Drain = Abfluss, Drainage
Source = Quelle
Gate = Gatter, Tor
Bulk = Körper
FET = Feldeffekttransistor
J-FET = Junction = Sperrschicht
IG-FET = Isolated Gate = isoliertes Tor
MOS-FET = Metall-Oxid-Semiconductor
MNS-FET = Metall-Nitrid-Semiconductor
Semicunductor = Halbleiter