Source-Schaltung mit J-FET

Source-Schaltung Anwendung mit J-FET	*(c) Friedrich Sick* source-1
Vorteil der FET´s ist die (technisch gesehen) leistungslose Ansteuerung und ihre schnelle Reaktionszeit. Ihre Grenzfrequenz liegt bei einigen GHz. Damit sind sie sowohl für den NF- als auch den HF-Bereich geeignet. Die Source-Schaltung ist die häufigst angewandte Variante für Verstärkerschaltungen mit FET´s. Sie entspricht der Emitterschaltung mit bipolaren Transistoren, ist aber einfacher zu dimensionieren. Die Schaltskizze zeigt das Prinzip exemplarisch: Der Source-Widerstand Rs erzeugt mit Hilfe des Drain-Stroms I_D des selbstleitenden J-FET durch *Stromgegenkopplung* die notwendige negative Steuerspannung U_GS für die Arbeitspunkteinstellung. Außerdem stabilisiert er den Arbeitspunkt. Der Kondensator Cs überbrückt die Stromgegenkopplung für das Wechselsignal. Der Gate-Widerstand R_G dient der Potentialanbindung des Gates an Masse. Da der Gate-Source-Übergang in Sperrichtung betrieben wird, fließt kein Strom und die Spannung am R_G ist (technisch) Null! Außerdem sorgt er dafür, dass sich der Koppelkondensator C_K1 umladen kann. R_G ist dann der Eingangswiderstand der Verstärkerstufe! R_G wird in der Regel zu 1MW gewählt. Der Koppelkondensator C_K1 ist nur bei Gleichspannungs-Offset des Eingangssignals notwendig. Bei reiner Eingangs-Wechselspannung ist weder C_K1 noch R_G notwendig! C_K2 koppelt das Ausgangswechselsignal aus. R_D + R_S bilden gemeinsam die Gleichstromarbeitsgerade. R_D bildet die Wechselarbeitsgerade. Ein Dimensionierungs-Beispiel zeigt die nächste Seite!	Source-Schaltung mit N-Kanal J-FET Dimensionierung: R_D + R_S = (Ub - U_{DS_AP}) / I_{D_AP} R_S = -U_{GS_AP} / I_{D_AP} Legende: I_{D_AP} = Drainstrom im Arbeitspunkt U_{GS_AP} = Gate-Source-Spg. im Arbeitspkt. U_{DS_AP} = Drain-Source-Spg. im Arbeitspkt.	.